图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPP90R340C3 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品培训模块 | |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 900V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 15A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 94nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2400pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 208W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| RDS -于 | 340@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 70 ns |
| 典型上升时间 | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 400 ns |
| 典型下降时间 | 25 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 208W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2400pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 94nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 15 A |
| 系列 | IPP90R340 |
| 配置 | Single |
| RDS（ON） | 340 mOhms |
| 功率耗散 | 208 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 零件号别名 | IPP90R340C3XKSA1 SP000683098 |
| 上升时间 | 20 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 25 ns |
| 高度 | 4.57mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.36mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2400 pF @ 100 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 340 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 208 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 15.95mm |
| 尺寸 | 10.36 x 15.95 x 4.57mm |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 典型接通延迟时间 | 70 ns |
| 典型关断延迟时间 | 400 ns |
| 封装类型 | TO-220 |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 94 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| 宽度 | 4.4 mm |
| Qg - Gate Charge | 94 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
| 身高 | 15.65 mm |
| Pd - Power Dissipation | 208 W |
| 技术 | Si |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
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